Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > JAN1N3768
RFQs/Orden (0)
español
español
1957067

JAN1N3768

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N3768
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN1N3768.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    35A
  • Tensión - Desglose
    DO-5
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/297
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Otros nombres
    1086-16818
    1086-16818-MIL
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    JAN1N3768
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1000V (1kV) 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • configuración de diodo
    10µA @ 1000V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.4V @ 110A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1000V (1kV)
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

23/11/2024

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

22/11/2024

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "JAN1N3768".
JAN1N3821DUR-1

JAN1N3821DUR-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3646

JAN1N3646

Descripción: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3645

JAN1N3645

Descripción: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3822C-1

JAN1N3822C-1

Descripción: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3647

JAN1N3647

Descripción: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3822A-1

JAN1N3822A-1

Descripción: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3821D-1

JAN1N3821D-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3822AUR-1

JAN1N3822AUR-1

Descripción: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3766

JAN1N3766

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N3821C-1

JAN1N3821C-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.