JAN1N4150-1

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Especificaciones

Número de pieza

JAN1N4150-1
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

JAN1N4150-1.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 200mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

50V
Paquete del dispositivo

DO-35
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

Military, MIL-PRF-19500/231
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

DO-204AH, DO-35, Axial
Otros nombres

1086-15171
1086-15171-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
Corriente - Fuga inversa a Vr

100nA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io)

200mA
Capacitancia Vr, F

-

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