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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > JAN1N5420
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2385302Imagen JAN1N5420Microsemi

JAN1N5420

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N5420
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5V @ 9A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    B, Axial
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    400ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    B, Axial
  • Otros nombres
    1086-2094
    1086-2094-MIL
    Q8738938A
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 3A Through Hole B, Axial
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
  • Capacitancia Vr, F
    -
JAN1N5415

JAN1N5415

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5519C-1

JAN1N5519C-1

Descripción: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5518D-1

JAN1N5518D-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5417

JAN1N5417

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5418

JAN1N5418

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Descripción: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5519B-1

JAN1N5519B-1

Descripción: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5519BUR-1

JAN1N5519BUR-1

Descripción: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5416

JAN1N5416

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5518DUR-1

JAN1N5518DUR-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5419

JAN1N5419

Descripción: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Descripción: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Fabricantes: Microsemi Corporation
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