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JAN1N5814

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N5814
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN1N5814.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    20A
  • Tensión - Desglose
    DO-203AA (DO-4)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    300pF @ 10V, 1MHz
  • Polarización
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Otros nombres
    1086-15835
    1086-15835-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    35ns
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    JAN1N5814
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
  • configuración de diodo
    10µA @ 100V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    950mV @ 20A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    100V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Fabricantes: Microsemi
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Fabricantes: Microsemi
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Fabricantes: Microsemi Corporation
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Fabricantes: Microsemi
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