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Casa > Productos > Protección del circuito > TVs-diodos > JAN1N6109
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JAN1N6109

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6109
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 9.9V 19.11V AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Tensión - separación inverso (típico)
    9.9V
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    19.11V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    11.73V
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    500W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    B, Axial
  • Otros nombres
    1086-2153
    1086-2153-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    26.13A
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • Canales bidireccionales
    1
  • aplicaciones
    General Purpose
JAN1N6108A

JAN1N6108A

Descripción: TVS DIODE 9.1V 16.9V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6109A

JAN1N6109A

Descripción: TVS DIODE 9.9V 18.2V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6106AUS

JAN1N6106AUS

Descripción: TVS DIODE 7.6V 14.5V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6107US

JAN1N6107US

Descripción: TVS DIODE 8.4V 16.38V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6109US

JAN1N6109US

Descripción: TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6106US

JAN1N6106US

Descripción: TVS DIODE 7.6V 15.23V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6111AUS

JAN1N6111AUS

Descripción: TVS DIODE 12.2V 22.3V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6108US

JAN1N6108US

Descripción: TVS DIODE 9.1V 17.75V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6107

JAN1N6107

Descripción: TVS DIODE 8.4V 16.38V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6108AUS

JAN1N6108AUS

Descripción: TVS DIODE 9.1V 16.9V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6110A

JAN1N6110A

Descripción: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6107AUS

JAN1N6107AUS

Descripción: TVS DIODE 8.4V 15.6V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6109AUS

JAN1N6109AUS

Descripción: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6108

JAN1N6108

Descripción: TVS DIODE 9.1V 17.75V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6107A

JAN1N6107A

Descripción: TVS DIODE 8.4V 15.6V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6111

JAN1N6111

Descripción: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6110AUS

JAN1N6110AUS

Descripción: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6110

JAN1N6110

Descripción: TVS DIODE 11.4V 22.05V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6111A

JAN1N6111A

Descripción: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6110US

JAN1N6110US

Descripción: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
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