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JAN1N6134

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6134
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN1N6134.pdf
  • Tensión - separación inverso (típico)
    114V
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    216.62V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    135.38V
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    500W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    B, Axial
  • Otros nombres
    1086-19535
    1086-19535-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    2.28A
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • Canales bidireccionales
    1
  • aplicaciones
    General Purpose

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Descripción: TVS DIODE 121.6VWM BPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
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Descripción: TVS DIODE 136.8VWM BPKG AXIAL

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Descripción: TVS DIODE 114V 216.62V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
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Descripción: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

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Descripción: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

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Descripción: TVS DIODE 114V 206.3V B SQ-MELF

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Descripción: TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
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