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JAN1N6145US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6145US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC CPKG
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN1N6145US.pdf
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    11.73V
  • Tensión - irrupción
    1
  • Voltaje - Desglose (Min)
    9.9V
  • Tensión - Desglose
    C, SQ-MELF
  • Tipo
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Corriente de ondulación - baja frecuencia
    General Purpose
  • Protección de la línea eléctrica
    1500W (1.5kW)
  • Potencia - Pico de pulso
    78.28A
  • Polarización
    SQ-MELF, C
  • Otros nombres
    1086-19612
    1086-19612-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    JAN1N6145US
  • Descripción
    TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC CPKG
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    19.11V
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • Canales bidireccionales
    No

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Descripción: TVS DIODE 9.9V 19.11V C AXIAL

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Descripción: TVS DIODE 12.2VWM 22.3VC CPKG

Fabricantes: Microsemi Corporation
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Descripción: TVS DIODE 13.7V 26.36V C AXIAL

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Descripción: TVS DIODE 11.4VWM 22.05VC CPKG

Fabricantes: Microsemi Corporation
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Descripción: TVS DIODE 12.2VWM 23.42VC CPKG

Fabricantes: Microsemi Corporation
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Descripción: TVS DIODE 8.4VWM 15.6VC CPKG

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
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Descripción: TVS DIODE 9.1VWM 16.9VC CPKG

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
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Descripción: TVS DIODE 12.2V 23.42V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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Descripción: TVS DIODE 11.4VWM 21VC CPKG

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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC CPKG

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