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Casa > Productos > Protección del circuito > TVs-diodos > JAN1N6169
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JAN1N6169

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6169
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 98.8V 187.74V C AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Tensión - separación inverso (típico)
    98.8V
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    187.74V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    117.33V
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    C, Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    1500W (1.5kW)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Axial
  • Otros nombres
    1086-19774
    1086-19774-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    7.98A
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • Canales bidireccionales
    1
  • aplicaciones
    General Purpose
JAN1N6169A

JAN1N6169A

Descripción: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6167A

JAN1N6167A

Descripción: TVS DIODE 86.6VWM CPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6167AUS

JAN1N6167AUS

Descripción: TVS DIODE 86.6V 151.3V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6166AUS

JAN1N6166AUS

Descripción: TVS DIODE 76V 137.6V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6168

JAN1N6168

Descripción: TVS DIODE 91.2V 173.36V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6168US

JAN1N6168US

Descripción: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6171AUS

JAN1N6171AUS

Descripción: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6167

JAN1N6167

Descripción: TVS DIODE 86.6V 158.87V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6168AUS

JAN1N6168AUS

Descripción: TVS DIODE 91.2V 165.1V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6167US

JAN1N6167US

Descripción: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6170

JAN1N6170

Descripción: TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6168A

JAN1N6168A

Descripción: TVS DIODE 91.2VWM CPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6170US

JAN1N6170US

Descripción: TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6169US

JAN1N6169US

Descripción: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6171

JAN1N6171

Descripción: TVS DIODE 121.6V 229.32V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6166US

JAN1N6166US

Descripción: TVS DIODE 76V 144.48V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6171A

JAN1N6171A

Descripción: TVS DIODE 121.6VWM CPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6170A

JAN1N6170A

Descripción: TVS DIODE 114V 206.3V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6169AUS

JAN1N6169AUS

Descripción: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6170AUS

JAN1N6170AUS

Descripción: TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles

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