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Casa > Productos > Protección del circuito > TVs-diodos > JAN1N6170US
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JAN1N6170US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6170US
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Tensión - separación inverso (típico)
    114V
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    216.62V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    135.38V
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    C, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    1500W (1.5kW)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, C
  • Otros nombres
    1086-19789
    1086-19789-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    6.94A
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • Canales bidireccionales
    1
  • aplicaciones
    General Purpose
JAN1N6169

JAN1N6169

Descripción: TVS DIODE 98.8V 187.74V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6172US

JAN1N6172US

Descripción: TVS DIODE 136.8V 257.99V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6168US

JAN1N6168US

Descripción: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6171A

JAN1N6171A

Descripción: TVS DIODE 121.6VWM CPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6169US

JAN1N6169US

Descripción: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6173

JAN1N6173

Descripción: TVS DIODE 152V 286.65V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6168A

JAN1N6168A

Descripción: TVS DIODE 91.2VWM CPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6170AUS

JAN1N6170AUS

Descripción: TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6172AUS

JAN1N6172AUS

Descripción: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6172

JAN1N6172

Descripción: TVS DIODE 136.8V 257.99V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6168AUS

JAN1N6168AUS

Descripción: TVS DIODE 91.2V 165.1V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6172A

JAN1N6172A

Descripción: TVS DIODE 136.8V 245.7V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6173A

JAN1N6173A

Descripción: TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG AXL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6171AUS

JAN1N6171AUS

Descripción: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6169A

JAN1N6169A

Descripción: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6170

JAN1N6170

Descripción: TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6169AUS

JAN1N6169AUS

Descripción: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6171US

JAN1N6171US

Descripción: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6171

JAN1N6171

Descripción: TVS DIODE 121.6V 229.32V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6170A

JAN1N6170A

Descripción: TVS DIODE 114V 206.3V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
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