Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-Zener-Single > JAN1N6485US
RFQs/Orden (0)
español
español
6942580

JAN1N6485US

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6485US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN1N6485US.pdf
  • Tensión - Zener (Nombre) (Vz)
    3.3V
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5V @ 1A
  • Tolerancia
    ±5%
  • Paquete del dispositivo
    D-5A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/406
  • Potencia - Max
    1.5W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, A
  • Otros nombres
    1086-15980
    1086-15980-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Impedancia (Max) (ZZT)
    10 Ohms
  • Descripción detallada
    Zener Diode 3.3V 1.5W ±5% Through Hole D-5A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    50µA @ 1V

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "JAN1N6485US".
JAN1N6474

JAN1N6474

Descripción: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Descripción: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Descripción: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Descripción: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Descripción: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Descripción: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Descripción: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Descripción: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Descripción: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Descripción: TVS DIODE 14CDIP

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Descripción: TVS DIODE 14CDIP

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Descripción: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6472

JAN1N6472

Descripción: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Descripción: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.