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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > JAN1N6624US
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JAN1N6624US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6624US
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 990V 1A D5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.55V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    990V
  • Paquete del dispositivo
    D-5A
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    50ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, A
  • Otros nombres
    1086-19973
    1086-19973-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 990V 1A Surface Mount D-5A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    500nA @ 990V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz
JAN1N6628

JAN1N6628

Descripción: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Descripción: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Descripción: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6626

JAN1N6626

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6623

JAN1N6623

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6624

JAN1N6624

Descripción: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6627

JAN1N6627

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Descripción: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Descripción: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6625

JAN1N6625

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6622

JAN1N6622

Descripción: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Fabricantes: Microsemi
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