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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > JAN1N6630
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JAN1N6630

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6630
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.4V @ 1.4A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    900V
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    50ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    E, Axial
  • Otros nombres
    1086-19991
    1086-19991-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 900V 1.4A Through Hole
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    2µA @ 900V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1.4A
  • Capacitancia Vr, F
    -
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Descripción: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Descripción: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Descripción: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6639

JAN1N6639

Descripción: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6638

JAN1N6638

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Descripción: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6627

JAN1N6627

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6629

JAN1N6629

Descripción: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6628

JAN1N6628

Descripción: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Descripción: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6631

JAN1N6631

Descripción: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Descripción: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Fabricantes: Microsemi
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