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3527620Imagen JAN1N6761UR-1Microsemi Corporation

JAN1N6761UR-1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6761UR-1
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN1N6761UR-1.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Schottky
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1A
  • Tensión - Desglose
    -
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/586
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    70pF @ 5V, 1MHz
  • Polarización
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Otros nombres
    1086-16035
    1086-16035-MIL
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    JAN1N6761UR-1
  • Descripción ampliada
    Diode Schottky 100V 1A Surface Mount
  • configuración de diodo
    100µA @ 100V
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    380mV @ 100mA
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    100V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Fabricantes: Microsemi
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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: DIODE GEN PURP 50V 300MA U3

Fabricantes: Microsemi Corporation
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Existencias disponibles
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