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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > JAN2N3636L
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JAN2N3636L

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN2N3636L
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 175V 1A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN2N3636L.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    175V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    TO-5
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/357
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Otros nombres
    1086-20883
    1086-20883-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 50mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A

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