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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > JAN2N6300
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JAN2N6300

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN2N6300
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 60V 8A TO66
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JAN2N6300.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 80mA, 8A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-66 (TO-213AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/539
  • Potencia - Max
    75W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-213AA, TO-66-2
  • Otros nombres
    1086-21101
    1086-21101-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    22 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 8A 75W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    750 @ 4A, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    8A

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