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JAN2N6800

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Especificaciones

Número de pieza

JAN2N6800
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-39
Serie

Military, MIL-PRF-19500/557
RDS (Max) @Id, Vgs

1.1 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

800mW (Ta), 25W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-205AF Metal Can
Otros nombres

JAN2N6800-MIL
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

34.75nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

400V
Descripción detallada

N-Channel 400V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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