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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > JANSR2N2920U
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JANSR2N2920U

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JANSR2N2920U
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    RH SMALL-SIGNAL BJT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    No conforme a RoHS
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 100µA, 1mA
  • Tipo de transistor
    2 NPN (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    6-SMD
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/355
  • Estado RoHS
    RoHS non-compliant
  • Potencia - Max
    350mW
  • Paquete / Cubierta
    6-SMD, No Lead
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Surface Mount 6-SMD
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    300 @ 1mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    30mA

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