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JANSR2N7380

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JANSR2N7380
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    JANSR2N7380.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-257
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/614
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    200 mOhm @ 14.4A, 12V
  • La disipación de energía (máximo)
    2W (Ta), 75W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-257-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    40nC @ 12V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 14.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    14.4A (Tc)

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