JANTX1N5415US

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Especificaciones

Número de pieza

JANTX1N5415US
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

JANTX1N5415US.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.5V @ 9A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

50V
Paquete del dispositivo

B, SQ-MELF
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Military, MIL-PRF-19500/411
Tiempo de recuperación inversa (trr)

150ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SQ-MELF, B
Otros nombres

JANTX1N5415US-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

-

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