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3194617Imagen JANTXV1N6109USMicrosemi

JANTXV1N6109US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JANTXV1N6109US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JANTXV1N6109US.pdf
  • Tensión - separación inverso (típico)
    9.9V
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    19.11V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    11.73V
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    500W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, B
  • Otros nombres
    1086-2878
    1086-2878-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    26.13A
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • Canales bidireccionales
    1
  • aplicaciones
    General Purpose

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Existencias disponibles
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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 13.7V 26.36V AXIAL

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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 8.4V 15.6V B SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 9.1V 16.9V AXIAL

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Descripción: TVS DIODE 13.7V 25.1V AXIAL

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Descripción: TVS DIODE 9.9V 19.11V AXIAL

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