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JANTXV1N6155US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JANTXV1N6155US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 27.4V 52.4V C SQ-MELF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JANTXV1N6155US.pdf
  • Tensión - separación inverso (típico)
    27.4V
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    52.4V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    32.49V
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    C, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    1500W (1.5kW)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, C
  • Otros nombres
    1086-19686
    1086-19686-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    28.6A
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • Canales bidireccionales
    1
  • aplicaciones
    General Purpose

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RFQ
JANTXV1N6156AUS

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Descripción: TVS DIODE 29.7V 53.6V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
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JANTXV1N6154

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Fabricantes: Microsemi
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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 25.1V 45.7V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 29.7V 53.6V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
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JANTXV1N6153

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Descripción: TVS DIODE 22.8V 43.68V C AXIAL

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Descripción: TVS DIODE 32.7V 59.1V C AXIAL

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JANTXV1N6155

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Descripción: TVS DIODE 27.4V 52.4V C AXIAL

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 22.8V 41.6V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 27.4V 49.9V C SQ-MELF

Fabricantes: Microsemi
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JANTXV1N6158A

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Descripción: TVS DIODE 35.8V 64.6V C AXIAL

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Descripción: TVS DIODE 32.7V 59.1V C SQ-MELF

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Descripción: TVS DIODE 35.8V 67.83V C AXIAL

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Descripción: TVS DIODE 38.8V 73.61V C AXIAL

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