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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > JANTXV2N3501UB
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2895607Imagen JANTXV2N3501UBMicrosemi

JANTXV2N3501UB

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JANTXV2N3501UB
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 150V 0.3A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JANTXV2N3501UB.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    150V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 15mA, 150mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    UB
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/366
  • Potencia - Max
    500mW
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    3-SMD, No Lead
  • Otros nombres
    1086-3079
    1086-3079-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    23 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 500mW Surface Mount UB
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    300mA

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