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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > JANTXV2N3811U
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JANTXV2N3811U

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JANTXV2N3811U
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2PNP 60V 0.05A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    JANTXV2N3811U.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 100µA, 1mA
  • Tipo de transistor
    2 PNP (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    TO-78-6
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/336
  • Potencia - Max
    350mW
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-78-6 Metal Can
  • Otros nombres
    1086-3091
    1086-3091-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    300 @ 1mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    50mA

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