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JANTXV2N6800

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JANTXV2N6800
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-205AF (TO-39)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/557
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.1 Ohm @ 3A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    800mW (Ta), 25W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-205AF Metal Can
  • Otros nombres
    JANTXV2N6800-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    34.75nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    400V
  • Descripción detallada
    N-Channel 400V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

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