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MP6KE91CAE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MP6KE91CAE3
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    86.5V
  • Tensión - irrupción
    1
  • Voltaje - Desglose (Min)
    77.8V
  • Tensión - Desglose
    T-18
  • Tipo
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Corriente de ondulación - baja frecuencia
    General Purpose
  • Protección de la línea eléctrica
    600W
  • Potencia - Pico de pulso
    4.8A
  • Polarización
    T-18, Axial
  • Otros nombres
    1086-7153
    1086-7153-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    MP6KE91CAE3
  • Descripción
    TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    125V
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • Canales bidireccionales
    No
MP6KE91A

MP6KE91A

Descripción: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Descripción: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Descripción: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Descripción: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Descripción: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE82A

MP6KE82A

Descripción: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Descripción: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Descripción: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Descripción: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Descripción: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Descripción: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Descripción: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Descripción: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Descripción: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Descripción: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Descripción: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Descripción: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles

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