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MS2200

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MS2200
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MS2200.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    65V
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    M102
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1167W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    M102
  • Temperatura de funcionamiento
    200°C (TJ)
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    -
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    9.7dB
  • Frecuencia - Transición
    400MHz ~ 500MHz
  • Descripción detallada
    RF Transistor NPN 65V 43.2A 400MHz ~ 500MHz 1167W Chassis Mount M102
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 5A, 5V
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    43.2A

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