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MXLPLAD18KP100AE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MXLPLAD18KP100AE3
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 100V 162V PLAD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MXLPLAD18KP100AE3.pdf
  • Tensión - separación inverso (típico)
    100V
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    162V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    111V
  • Canales unidireccionales
    1
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    PLAD
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    18000W (18kW)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Nonstandard SMD
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    112A
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • aplicaciones
    General Purpose

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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 85V 137V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 10V 17V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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MXLPLAD15KP9.0CAE3

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Descripción: TVS DIODE 9V 15.4V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 100V 162V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 100V 162V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 10V 17V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 110V 177V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 110V 177V PLAD

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