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MXLPLAD30KP33AE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MXLPLAD30KP33AE3
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 33V 53.3V PLAD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MXLPLAD30KP33AE3.pdf
  • Tensión - separación inverso (típico)
    33V
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    53.3V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    36.7V
  • Canales unidireccionales
    1
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    PLAD
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    30000W (30kW)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Nonstandard SMD
  • Otros nombres
    1086-11012
    1086-11012-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    564A
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • aplicaciones
    General Purpose

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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 36V 58.1V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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MXLPLAD30KP30CAE3

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Descripción: TVS DIODE 30V 48.8V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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MXLPLAD30KP33CA

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Descripción: TVS DIODE 33V 53.3V PLAD

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Descripción: TVS DIODE 28V 46.4V PLAD

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Descripción: TVS DIODE 30V 48.8V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 300V 483V PLAD

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Descripción: TVS DIODE 350V 564V PLAD

Fabricantes: Microsemi
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Descripción: TVS DIODE 300V 483V PLAD

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Descripción: TVS DIODE 350V 564V PLAD

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Descripción: TVS DIODE 36V 58.1V PLAD

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