Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Protección del circuito > TVs-diodos > MXLSMBJ11AE3
RFQs/Orden (0)
español
español
3928107Imagen MXLSMBJ11AE3Microsemi

MXLSMBJ11AE3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
100+
$10.248
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    MXLSMBJ11AE3
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MXLSMBJ11AE3.pdf
  • Tensión - separación inverso (típico)
    11V
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    18.2V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    12.2V
  • Canales unidireccionales
    1
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    SMBJ (DO-214AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    600W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AA, SMB
  • Otros nombres
    1086-11562
    1086-11562-MIL
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    33A
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • aplicaciones
    General Purpose

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "MXLSMBJ11AE3".
MXLSMBJ110A

MXLSMBJ110A

Descripción: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ12A

MXLSMBJ12A

Descripción: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ10CA

MXLSMBJ10CA

Descripción: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ120AE3

MXLSMBJ120AE3

Descripción: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ110CAE3

MXLSMBJ110CAE3

Descripción: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ10CAE3

MXLSMBJ10CAE3

Descripción: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ120CAE3

MXLSMBJ120CAE3

Descripción: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ100CAE3

MXLSMBJ100CAE3

Descripción: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ120A

MXLSMBJ120A

Descripción: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ11CAE3

MXLSMBJ11CAE3

Descripción: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ120CA

MXLSMBJ120CA

Descripción: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ11A

MXLSMBJ11A

Descripción: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ12CAE3

MXLSMBJ12CAE3

Descripción: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ10A

MXLSMBJ10A

Descripción: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ12AE3

MXLSMBJ12AE3

Descripción: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ110CA

MXLSMBJ110CA

Descripción: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ110AE3

MXLSMBJ110AE3

Descripción: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ11CA

MXLSMBJ11CA

Descripción: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ12CA

MXLSMBJ12CA

Descripción: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
MXLSMBJ10AE3

MXLSMBJ10AE3

Descripción: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.