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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > BFU580GX

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Imagen BFU580GX

NXP Semiconductors / Freescale

BFU580GX

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Especificaciones

Número de pieza

BFU580GX
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS RF NPN 12V 60MA SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BFU580GX.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

12V
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
Potencia - Max

1W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

568-11519-1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.8GHz
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganancia

10.5dB
Frecuencia - Transición

11GHz
Descripción detallada

RF Transistor NPN 12V 60mA 11GHz 1W Surface Mount SOT-223
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 30mA, 8V
Corriente - colector (Ic) (Max)

60mA
Número de pieza base

BFU580

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