BUK7880-55,135

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Especificaciones

Número de pieza

BUK7880-55,135
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BUK7880-55,135.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

934050520135
BUK7880-55 /T3
BUK7880-55 /T3-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Fabricantes: Nexperia

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