BUK952R8-60E,127

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Especificaciones

Número de pieza

BUK952R8-60E,127
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.6 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

349W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

568-9862-5
934066522127
BUK952R860E127
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

17450pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

120nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Fabricantes: Nexperia

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