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BUK956R1-100E,127

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Especificaciones

Número de pieza

BUK956R1-100E,127
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

5.9 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

349W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

568-9866-5
934066524127
BUK956R1100E127
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

17460pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

133nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Fabricantes: Nexperia

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