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1441708Imagen BUK9E6R1-100E,127NXP Semiconductors / Freescale

BUK9E6R1-100E,127

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BUK9E6R1-100E,127
  • Fabricante / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    I2PAK
  • Serie
    TrenchMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.9 mOhm @ 25A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    349W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Otros nombres
    568-9877-5
    934066517127
    BUK9E6R1100E127
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    17460pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    133nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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