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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > PBRN123ES,126
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PBRN123ES,126

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PBRN123ES,126
  • Fabricante / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    PBRN123ES,126.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    40V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.15V @ 8mA, 800mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potencia - Max
    700mW
  • embalaje
    Tape & Box (TB)
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Otros nombres
    934059134126
    PBRN123ES AMO
    PBRN123ES AMO-ND
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    280 @ 300mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    800mA
  • Número de pieza base
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