PDTB113ES,126

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Especificaciones

Número de pieza

PDTB113ES,126
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PDTB113ES,126.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

1 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms
Potencia - Max

500mW
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres

934059144126
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

PDTB113

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Descripción: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

Fabricantes: Nexperia

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