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4598751Imagen PH5330E,115NXP Semiconductors / Freescale

PH5330E,115

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PH5330E,115
  • Fabricante / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    LFPAK56, Power-SO8
  • Serie
    TrenchMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 15A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    62.5W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
  • Otros nombres
    568-2348-2
    934057824115
    PH5330E T/R
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2010pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    21nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 80A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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