PHB152NQ03LTA,118

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Especificaciones

Número de pieza

PHB152NQ03LTA,118
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PHB152NQ03LTA,118.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

3140pF @ 25V
Tensión - Desglose

D2PAK
VGS (th) (Max) @Id

4 mOhm @ 25A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

TrenchMOS™
Estado RoHS

Digi-Reel®
RDS (Max) @Id, Vgs

75A (Tc)
Polarización

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

568-2186-6
PHB152NQ03LTA118
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

PHB152NQ03LTA,118
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

36nC @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2V @ 1mA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 25V 75A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25V
relación de capacidades

150W (Tc)

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PHB11N06LT,118

Descripción: MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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PHB152NQ03LTA,118

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