PHT6N06LT,135

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Especificaciones

Número de pieza

PHT6N06LT,135
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±13V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

150 mOhm @ 5A, 5V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

568-7367-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.5nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 2.5A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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PHT1206Y1003BGTB

Descripción: RES SMD 100K OHM 0.1% 1/10W 1206

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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