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5871846Imagen PMN23UN,135NXP Semiconductors / Freescale

PMN23UN,135

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PMN23UN,135
  • Fabricante / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    700mV @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    28 mOhm @ 2A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.75W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-74, SOT-457
  • Otros nombres
    568-7416-2
    934058058135
    PMN23UN /T3
    PMN23UN /T3-ND
    PMN23UN,135-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10.6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 6.3A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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