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736172Imagen PMV185XN,215NXP Semiconductors / Freescale

PMV185XN,215

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PMV185XN,215
  • Fabricante / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-236AB (SOT23)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    250 mOhm @ 1.1A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    325mW (Ta), 1.275W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    568-10831-2
    934066753215
    PMV185XN,215-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    76pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    1.3nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 1.1A (Ta) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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