PSMN012-25YLC,115

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN012-25YLC,115
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.95V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LFPAK56, Power-SO8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

12.6 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

26W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Otros nombres

568-8527-2
934066022115
PSMN012-25YLC,115-ND
PSMN012-25YLC115
PSMN01225YLC115
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

528pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 33A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

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Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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