PSMN5R0-100XS,127

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN5R0-100XS,127
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

63.8W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Otros nombres

568-9760-5
934066039127
PSMN5R0-100XS,127-ND
PSMN5R0-100XS127
PSMN5R0100XS127
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9900pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

153nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 67.5A (Tc) 63.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

67.5A (Tc)

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