BUK9Y113-100E,115

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Especificaciones

Número de pieza

BUK9Y113-100E,115
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BUK9Y113-100E,115.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LFPAK56, Power-SO8
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

110 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

45W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Otros nombres

1727-1854-1
568-11545-1
568-11545-1-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.4nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 12A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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Forma de pago

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09/10/2024

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Descripción: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK

Fabricantes: Nexperia

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