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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > PBSS8110D,115
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3974013Imagen PBSS8110D,115Nexperia

PBSS8110D,115

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PBSS8110D,115
  • Fabricante / Marca
    Nexperia
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 100V 1A 6TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    PBSS8110D,115.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    200mV @ 100mA, 1A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    6-TSOP
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    700mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-74, SOT-457
  • Otros nombres
    1727-5777-2
    568-7325-2
    568-7325-2-ND
    934057979115
    PBSS8110D T/R
    PBSS8110D T/R-ND
    PBSS8110D,115-ND
    PBSS8110D115
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    100MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 700mW Surface Mount 6-TSOP
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    150 @ 250mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A
  • Número de pieza base
    PBSS8110

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

09/10/2024
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