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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > PDTA113ZMB,315
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4470570Imagen PDTA113ZMB,315Nexperia

PDTA113ZMB,315

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PDTA113ZMB,315
  • Fabricante / Marca
    Nexperia
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    PDTA113ZMB,315.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    DFN1006B-3
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Potencia - Max
    250mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    3-XFDFN
  • Otros nombres
    934065919315
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    180MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
    PDTA113

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09/10/2024
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