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531423Imagen PDTA115ET,215Nexperia

PDTA115ET,215

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PDTA115ET,215
  • Fabricante / Marca
    Nexperia
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    PDTA115ET,215.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    TO-236AB (SOT23)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    100 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Potencia - Max
    250mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    1727-3011-1
    568-2109-1
    568-2109-1-ND
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    20mA
  • Número de pieza base
    PDTA115

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

09/10/2024
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