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PHKD6N02LT,518

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PHKD6N02LT,518
  • Fabricante / Marca
    Nexperia
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    PHKD6N02LT,518.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    TrenchMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    20 mOhm @ 3A, 5V
  • Potencia - Max
    4.17W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    934056831518
    PHKD6N02LT /T3
    PHKD6N02LT /T3-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    15.3nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    10.9A

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09/10/2024
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