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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > PIMZ2,125

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Imagen PIMZ2,125

Nexperia

PIMZ2,125

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Especificaciones

Número de pieza

PIMZ2,125
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PIMZ2,125.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor

NPN, PNP
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

-
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-74, SOT-457
Otros nombres

934057906125
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz, 190MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 100MHz, 190MHz 300mW Surface Mount 6-TSOP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

150mA

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New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

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