PMXB65ENEZ

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Especificaciones

Número de pieza

PMXB65ENEZ
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PMXB65ENEZ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DFN1010D-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

67 mOhm @ 3.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

400mW (Ta), 8.33W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-XDFN Exposed Pad
Otros nombres

1727-1478-2
1727-1478-2INACTIVE-ND
568-10949-2
568-10949-2-ND
934067148147
PMXB65ENE
PMXB65ENEZ-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

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Envío
Forma de pago

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09/10/2024

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